Il National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) giapponese ha annunciato il raggiungimento di una percentuale di conversione pari al 17,7% da una cella solare flessibile a base di CIGS (rame, gallio, selenio e indio).
Si tratta di una delle efficienze maggiori mai raggiunte finora con le celle thin film.
Invece di agire sulle quantità di semiconduttori composti da metalli alcalini, relativamente instabili, i ricercatori giapponesi hanno messo a punto una nuova tecnologia chiamata “ASTL” (alkali-silicate thin layer) che utilizza uno strato sottile di vetro composto appunto dai più stabili sali alcalini silicati.
La nuova tecnologia è stata presentata al quarto Simposio del Centro di Ricerca per il Fotovoltaico che si sta svolgendo in questi giorni al Museum of Emerging Science and Innovation di Tokyo.
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